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微波元件資訊

HMC507LP5異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO 現貨
2019-02-26 17:10:10
HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變容二極管，可輸出半頻。由于振蕩器的單芯片結構，VCO的相位噪聲性能在溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。
HMC644ALC5衛星通信5位數字移相器15-18.5GHz 現貨
2019-02-26 17:05:59
HMC644ALC5是一款5位數字移相器，額定頻率范圍為15至18.5 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為11.25度。 HMC644ALC5在所有相態具有3.5度的極低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。
HMC658寬帶固定值50 Ω匹配衰減器芯片現貨
2019-02-26 16:56:28
HMC658是一系列寬帶固定值50 Ω匹配衰減器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相對衰減電平。這些無源旋轉器和衰減器非常適合需要極端平坦衰減和出色的VSWR與頻率關系的微帶、混合及多芯片模塊應用。
HMC326MS8G高效率異質結雙極性晶體管驅動器放大器現貨
2019-02-26 16:39:12
HMC326MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC驅動器放大器，工作頻率范圍為3至4.5 GHz。該放大器采用低成本、表面貼裝8引腳封裝，帶有裸露基座以改善RF和熱性能。
HMC432低噪聲2分頻靜態分頻器現貨
2019-02-26 16:28:10
HMC432(E)是一款低噪聲2分頻靜態分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術，采用超小型表面貼裝SOT26塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至8 GHz的輸入頻率下工作，使用+3V DC單電源。
HMC753LP4E低噪聲寬帶放大器現貨
2019-02-26 16:15:12
HMC753是一款GaAs MMIC低噪聲寬帶放大器，采用無引腳4x4 mm塑料表貼封裝。該放大器的工作頻率范圍為1至11 GHz，提供高達16.5 dB的小信號增益、1.5 dB噪聲系數及+30 dBm輸出IP3，同時采用+5V電源的功耗僅55 mA。
HMC792ALP4E封裝6位數字衰減器現貨
2019-02-26 16:09:54
HMC792ALP4E是0.25 dB LSB GaAs MMIC 6位數字衰減器，采用SMT封裝，DC - 6 GHz?，應用于蜂窩/3G基礎設施、WiBro / WiMAX / 4G、微波無線電和VSAT、測試設備和傳感器等
HMC655固定6 dB無源衰減器芯片DC-50GHz 現貨
2019-02-26 14:45:46
HMC655是一系列寬帶固定值50 Ω匹配衰減器芯片，提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相對衰減電平。這些無源旋轉器和衰減器非常適合需要極端平坦衰減和出色的VSWR與頻率關系的微帶、混合及多芯片模塊應用。
HMC1167LP5E單芯片微波集成電路(MMIC)壓控振蕩器現貨
2019-02-26 14:23:03
HMC1167是一款集成諧振器、負電阻器件和變容二極管的單芯片微波集成電路(MMIC)壓控振蕩器(VCO)，具有半頻輸出。由于振蕩器采用單芯片結構，因而在溫度范圍內具有出色的輸出功率和相位噪聲性能。
HMC702LP6CE小數N分頻頻率合成器 ADI現貨
2019-02-26 14:15:42
HMC702是一款SiGe BiCMOS小數N分頻頻率合成器。該頻率合成器內置一個8GHz 16位RF N分頻器、一個24位Σ-Δ調制器、一個極低噪聲數字鑒頻鑒相器(PFD)和一個精密控制電荷泵。
HMC447LC3低噪聲4分頻再生分頻器現貨
2019-02-26 14:07:37
HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器，采用InGaP GaAs HBT技術。這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz，可接受極寬范圍的輸入功率水平。
HMC468ALP3E寬帶3位GaAs IC數字衰減器現貨
2019-02-26 14:04:23
HMC468ALP3E是一款寬帶3位GaAs IC數字衰減器，采用低成本無引腳表面貼裝封裝。在DC到6.0 GHz頻率下工作，插入損耗低于1 dB典型值，最高達到4 GHz。衰減器位值為1 (LSB)、2和4 dB，總衰減為7 dB。
HMC587LC4B寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器現貨
2019-02-26 11:28:34
HMC587LC4B是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器，集成了諧振器、負電阻器件、變容二極管。由于振蕩器的單芯片結構，其輸出功率和相位噪聲性能在不同的溫度下始終非常出色。
HMC561軍事x2有源寬帶倍頻器芯片 ADI現貨
2019-02-26 11:23:25
HMC561是一款采用GaAs pHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器芯片。由+5 dBm信號驅動時，該倍頻器在8至21 GHz范圍內提供+17 dBm的典型輸出功率，在16 GHz頻率下，Fo和3Fo隔離均為15 dBc。
HMC695LP4E有源微型x4倍頻器現貨代理
2019-02-26 11:07:15
HMC695LP4E是一款利用InGaP GaAs HBT技術制造而成的有源微型x4倍頻器，采用4x4 mm無鉛表貼封裝。在+5V電源電壓下，功率輸出為+7 dBm（典型值）且相對輸入功率、溫度和電源電壓變化很小。
HMC565LC5低噪聲放大器芯片 ADI現貨
2019-02-26 10:52:55
HMC565LC5是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，采用符合RoHS標準的無引腳5x5mm SMT封裝。 HMC565LC5工作頻率范圍為6至20 GHz，在整個工作頻段內具有21 dB小信號增益、2.5 dB噪聲系數和+20 dBm輸出IP3。
HMC746LC3C高速邏輯和數據路徑管理現貨代理
2019-02-25 11:12:58
HMC746是一種AND / NAND / OR / NOR功能，旨在支持高達13 Gbps的數據傳輸速率和高達13 GHz的時鐘頻率。HMC746可以很容易地配置為提供以下任何邏輯功能：AND，NAND，OR和NOR。
HMC903LP3E軍事單片微波集成電路現貨
2019-02-25 11:07:25
HMC903LP3E是一款自偏置砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC），假晶（pHEMT），低噪聲放大器（LNA），具有用于降低IDQ的選項偏置控制。它采用16引腳，3 mm×3 mm，LFCSP封裝。
HMC1082LP4E/HMC1082LP4ETR軍事電子戰驅動放大器現貨
2019-02-25 10:48:33
HMC1082LP4E是一款GaAs pHEMT MMIC驅動放大器，集成了溫度補償片上功率檢測器，工作頻率范圍為5.5至18 GHz。該放大器在1 dB增益壓縮下提供22 dB增益，+ 35 dBm輸出IP3和+24 dBm輸出功率，而+ 5V電源則需要220 mA。
HMC442點對點無線電功率放大器芯片17.5-25.5GHz 代理現貨
2019-02-25 10:38:50
HMC442是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中功率放大器，工作頻率范圍為17.5至25.5 GHz。HMC442在+ 5V電源電壓下提供15 dB增益，+ 23 dBm飽和功率和25％PAE。由于尺寸小，放大器芯片可以輕松集成到多芯片模塊（MCM）中。
CMPA801B025F高效25W功率放大器6-12 GHz 現貨
2019-02-22 15:56:21
CMPA601C025F GaN HEMT MMIC放大器提供25瓦的功率，瞬時帶寬為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC采用耐熱增強型10引腳陶瓷封裝。這款器件采用50歐姆的小尺寸封裝，可提供高功率6至12 GHz高效放大器。
CMPA601C025F高效25W功率放大器現貨
2019-02-22 15:52:54
CMPA601C025F GaN HEMT MMIC放大器提供25瓦的功率，瞬時帶寬為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC采用耐熱增強型10引腳陶瓷封裝。這款器件采用50歐姆的小尺寸封裝，可提供高功率6至12 GHz高效放大器。
CGHV14800F高電子遷移率晶體管L波段雷達系統現貨
2019-02-22 15:36:39
Wolfspeed的CGHV14800是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專門設計用于高效率，高增益和寬帶寬功能，這使得CGHV14800成為1.2 - 1.4 GHz L波段雷達放大器應用的理想選擇。
CMPA0060002F功率放大器芯片2W 現貨
2019-02-22 15:26:12
Wolfspeed的CMPA0060002F是一種基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優異的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱率。
CGH40006S射頻微波6W高電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 15:13:23
Wolfspeed的CGH40006S是一款無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40006S采用28伏軌道，為各種射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。
CGHV1J006D高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 14:16:56
Wolfspeed的CGHV1J006D是一種采用0.25μm柵極長度制造工藝的碳化硅襯底上的高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN-on-SiC產品具有出色的高頻，高效特性。
CGH35240F氮化鎵240W高電子遷移率晶體管 CREE現貨
2019-02-22 14:02:50
Wolfspeed的CGH35240F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專門設計用于高效率，高增益和寬帶寬功能，使CGH35240F成為3.1 - 3.5 GHz，S波段的理想選擇，雷達放大器應用。
CGHV31500F高增益S波段雷達系統晶體管500W 代理現貨
2019-02-22 13:52:53
Wolfspeed的CGHV31500F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專門設計用于高效率，高增益和寬帶寬功能，使CGHV31500F成為2.7 - 3.1 GHz s波段雷達的理想選擇 - 放大器應用。
CGH40010寬帶10W射頻功率GaN HEMT 現貨
2019-02-22 13:48:12
Wolfspeed的CGH40010是一款無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40010采用28伏軌道，為各種射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。GaN HEMT具有高效率，高增益和寬帶寬能力，使CGH40010成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。
CMPA2560025F高效率S波段雷達系統電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 11:39:53
Wolfspeed的CGHV35400F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計，使CGHV35400F成為2.9 - 3.5 GHz，S波段的理想選擇，雷達放大器應用。晶體管采用440210型陶瓷/金屬法蘭封裝。

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