MQHT-212-009-161-41ZG高溫電纜連接器,一系列高溫薄型公電纜連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。它們的尺寸范圍為9至51觸點。
MSHT-262-009-433-220S高溫直角鍍通孔(PTH),一系列高溫母PCB安裝連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。這些連接器具有直角方向,薄型,并使用較小的占位面積安裝到PCB的電鍍通孔??商峁?到51個觸點的尺寸。
MQHT-212-015-161-41ZG高溫薄型電纜連接器,一系列高溫薄型公電纜連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。它們的尺寸范圍為9至51觸點。
MSHT-262-015-433-220S高溫直角鍍通孔PCB連接器,一系列高溫母PCB安裝連接器,有2排和3排觸點,間距為0.050“。這些連接器具有直角方向,薄型,并使用較小的占位面積安裝到PCB的電鍍通孔??商峁?到51個觸點的尺寸。
RM212-080-102-5500通孔PCB連接器一系列公頭PCB安裝連接器,兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向,并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳,用于將連接器固定到電路板上。
RM222-080-202-5500直鍍通孔PCB連接器,一系列母頭PCB安裝連接器,兩排觸點間距為0.075“。這些連接器具有垂直安裝方向,并安裝在PCB的電鍍通孔上。這些連接器具有安裝耳,用于將連接器固定到電路板上??商峁?0到100個觸點的尺寸。
Airborn的MM-2C2-009-261-29WA后面板安裝電纜連接器,一系列后面板安裝電纜連接器,具有界面密封和0.050“的接觸間距。它們的尺寸范圍為9到100觸點。
airborn的MM-212-009-161-41WQ金屬電纜連接器,一系列公頭金屬連接器,有兩排,三排和四排觸點,間距為0.050“。這些連接器有焊杯,壓接線和尾纖端接類型。它們的尺寸范圍為9到51觸點。
HMC462是一款GaAs MMIC PHEMT低噪聲分布式放大器裸片,工作頻率范圍為2至20 GHz。 該放大器提供15 dB增益、2.0至2.5 dB噪聲系數和+15 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),采用+5V單電源時功耗僅為63 mA。
HMC435AMS8GE是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT開關,采用低成本8引腳MSOP8G表面貼裝封裝,帶有裸露接地焊盤。 該開關非常適合蜂窩/3G和WiMAX/4G應用,實現高達60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+50 dBm的輸入IP3。
HMC847LC5是一款4:1多路復用器,設計用于45 Gbps數據串行應用。 多路復用器在輸入時鐘的轉換點鎖存四個差分輸入。 該器件使用半速率時鐘的上升沿和下降沿來串行傳輸數據。
ADF4159WCCPZ是一款具有調制、以及快速和慢速波形產生能力的13 GHz小數N分頻頻率合成器, 該器件使用25位固定模數,提供次赫茲頻率分辨率。
AD9680BCPZ-1000是一款雙通道、14位、1 GSPS模數轉換器(ADC)。 該器件內置片內緩沖器和采樣保持電路,專門針對低功耗、小尺寸和易用性而設計。 該器件設計用于高達2 GHz的寬帶模擬信號采樣。
HMC-AUH256是一款GaAs MMIC HEMT四級驅動放大器,工作頻率范圍17.5至41 GHz。 由于尺寸較小(1.93 mm2),該芯片可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 HMC-AUH256在1 dB壓縮點提供21 dB的增益和+20 dBm的輸出功率,使用+5V的偏置電源(295 mA)。
HMC313E是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC放大器,采用Vcc單電源工作。 表面貼裝SOT26放大器可用作寬帶增益級,或用于針對窄帶應用優化的外部匹配。
AMCOM公司的AM07512041WN-SN-R/AM07512041WN-00-R芯片是一款寬帶氮化鎵MMIC功率放大器。它在8.25至11.75GHz頻段具有28dB的增益和42dBm的輸出功率。AM7512041WN-SN-R采用陶瓷封裝,帶有法蘭和直射頻和直流引線,用于插入式組裝。它的增益為27db,輸出功率為41dbm,在8.25至11.75GHz頻段。
AMCOM的AM005WN-BI-R是一個分立的GaN/SiC HEMT,總門寬為0.5毫米。它是一個陶瓷封裝,最高工作12千兆赫。Bi系列采用特殊設計的陶瓷封裝,帶有彎曲(Bi-G)或直(Bi)引線,采用嵌入式安裝方式。
AMCOM的AM07511542WM是一種寬帶砷化鎵MMIC功率放大器。它具有25dB的小信號增益,在8V偏壓和5%脈沖操作下,在8至11GHz波段輸出功率為42dBm。由于直流功耗高,我們強烈建議將共晶連接的裸芯片設備直接安裝在銅散熱片上。在脈沖條件下,當共晶鍵合沒有空隙時,可以在8V直流偏壓下工作。
AMCOM的AM030WH2-BI-R是GAAS高保真音響的BI系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置,適用于高壓、大功率和寬帶應用。該部分的總設備外圍為6毫米(2個3毫米FET串聯)。AM030WH2-BI-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率高達12GHz。它也是大功率設備的理想驅動程序。
AMCOM的AM002535MM-BM-R是GAAS MMIC功率放大器系列的一部分。它有24分貝的增益,34分貝的輸出功率在大部分0.03至2.5千兆赫波段。該MMIC位于陶瓷封裝中,射頻和直流引線位于封裝底部,以便于將低成本SMT組裝到PC板上。
AMCOM的AM003536WM-BM/EM/FM-R是一款超寬帶砷化鎵MMIC功率放大器。它在0.01至3.5GHz頻段具有22 dB的增益和36dBm的輸出功率。該MMIC位于陶瓷封裝中,射頻和直流引線位于封裝的較低水平,以便于將低成本SMT組裝到PC板上。
AMCOM的AM13714530WM-SM-R是GAAS MMIC功率放大器系列的一部分,工作在13.75至14.5GHz頻段。它有超過30分貝的增益和30分貝的輸出功率。放大器封裝在帶射頻和直流連接的嵌入式陶瓷封裝中。
HMC1131是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)驅動放大器,工作頻率范圍為24 GHz至35 GHz。 HMC1131在24 GHz至27 GHz范圍下提供22 dB增益、35 dBm輸出IP3和24 dBm輸出功率(1 dB增益壓縮),功耗為225 mA(采用5 V電源)。
HMC741是一款InGaP異質結雙極性晶體管(HBT)增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為0.05至3 GHz。 該放大器采用業界標準SOT89封裝,可用作級聯50 Ω RF或IF增益級,也可用作PA或LO驅動器,輸出功率高達+18.5 dBm。
HMC789ST89E是一款高線性度GaAs InGaP HBT增益模塊MMIC,工作頻率范圍為0.7至2.8 GHz,采用業界標準SOT89封裝。 該放大器僅使用極小數量的外部元件和+5V單電源工作,其輸出IP3可以優化為+45 dBm。
HMC589AST89E是一款InGaP HBT增益模塊MMIC SMT放大器,工作頻率范圍為DC至4 GHz,采用業界標準SOT89E封裝。該放大器可用作可級聯50 ? RF或IF增益級以及LO或PA驅動器,輸出功率高達+19 dBm P1dB,適合蜂窩/3G、FWA、CATV、微波無線電和測試設備應用。
5962-9756401QXA為高速、低功耗、16位模數轉換器(ADC),采用5 V單電源供電。AD976A的吞吐速率為200 ksps,而AD976的吞吐速率為100 ksps。各器件均內置一個逐次逼近型開關電容ADC、一個2.5 V內部基準電壓源和一個高速并行接口。
OP293ESZ均為單電源運算放大器,具有高精度、低電源電流特性與低電壓工作能力。為使單電源系統實現高性能,其輸入和輸出范圍需包括地電壓,而且輸出擺幅在負供電軌至正電源的600 mV范圍內。
AD9164BBCAZ是一款高性能16位數模轉換器(DAC)和直接數字頻率合成器(DDS),支持高達6 GSPS的更新速率。DAC內核基于一個四通道開關結構,配合2倍插值濾波器,使DAC的有效更新速率在某些模式下高達12 GSPS。
CMD290是一款寬帶GaN MMIC分布式K波段低噪聲放大器芯片,工作頻率范圍為2至26 GHz。該寬帶器件非常適合要求低噪聲系數性能和高輸入功率生存能力的應用。