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雙極 NPN硅微波功率晶體管MAPR-001011-850S00

2018-11-20 11:49:03

雙極 NPN硅微波功率晶體管MAPR-001011-850S00，主要特點有：擴散發射極鎮流電阻器、高效的數字間幾何、 寬帶C類操作、內部輸入和輸出阻抗匹配等

macom航空航天NPN硅微波功率晶體管MAPR-000912-500S00

2018-11-19 15:02:22

macom航空航天NPN硅微波功率晶體管MAPR-000912-500S00， 內部輸入和輸出阻抗匹配，金金屬化系統， 擴散發射極鎮流電阻器，寬帶C類操作， 符合RoHS標準。

通用型C類Sband托盤放大器MAPP-002729-300M00——macom現貨

2018-11-19 14:52:02

通用型C類Sband托盤放大器MAPP-002729-300M00，旨在簡化產品上市時間。晶體管采用直流隔離，以優化電流平衡并實現單獨的電流監控。廣泛的Wilkinson組合器可最大限度地提高一致性并減少損失。此外，寬走線簡化了與任何PCB材料上的50O電路的連接。

60W雙極RF線NPN硅功率晶體管2N6439

2018-11-19 14:43:45

60W雙極RF線NPN硅功率晶體管2N6439，225至400MHz，28V 主要設計用于225至400 MHz頻率范圍的寬帶大信號輸出放大器級。

GaAs肖特基二極管MGS901——MACOM現貨

2018-11-15 13:53:12

GaAs肖特基二極管MGS901—MACOM現貨，COM的MGS系列GaAs肖特基二極管專為在60 GHz工作的毫米波元件提供最佳性能。

SW-313-PIN低功耗砷化鎵場效應晶體管

2018-11-15 13:50:10

SW-313-PIN低功耗砷化鎵場效應晶體管，該器件封裝在16引線陶瓷表面安裝封裝中，在保持低功耗的同時，提供了從直流到3GHz的良好性能和重復性。

AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34

AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz，這一部分的總閘門寬度為9mm。AM090WX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率可達8GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和插裝式法蘭。

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R，這一部分的總柵極寬度為6mm。AM060WX-BI-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達10 GHz。

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R，其總柵極寬度為3.0mm。它采用陶瓷BI封裝，工作頻率可達10GHz。BI封裝采用特殊設計的陶瓷封裝，帶有彎曲（BI-G）或直線（BI）引線，采用插入式安裝方式。

超寬帶射頻晶體管驅動放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42

AMCOM的AM010WX-BI-R是一個離散的GaAs PHEMT，其總柵極寬度為1.0mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達12千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。

Anritsu 擰入式接頭V102M-R

2018-11-08 14:04:49

Anritsu 擰入式接頭V102M-R，Anritsu 提供了微帶彈性觸片（"滑動觸體"）。 該觸體能夠在發生溫度變化、撞擊或振動時對連接提供保護。 V110-1 適用于跡線寬度為 0.15 毫米的微帶和共平面波導。

V 凹型凸緣啟動器V103F-R

2018-11-08 11:31:15

V 凹型凸緣啟動器V103F-R，Anritsu 提供了 V110-1 去應力觸體（也稱為“滑動觸體”）， 該觸體能夠在發生溫度變化、撞擊或振動時對連接提供保護。 該型號的觸體適用于跡線寬度為 0.15 毫米的微帶和共平面波導。 當用于共平面波導時，某些工程師會采用插針重疊設計，這樣即可將插針直接焊接到跡線上。

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20

V103-R 可與 V100 珠子或 V100B 密封式珠子緊密結合。nritsu 提供了 V110-1 微帶彈性觸片 （也稱為"滑動觸體"）， 該觸體能夠在發生溫度變化、撞擊或振動時對連接提供保護。 該型號的觸體適用于跡線寬度為 0.15 毫米的微帶和共平面波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R，其總柵極寬度為0.5mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達12千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標準的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R，HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線和凸緣安裝方式。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R ，HIFET是部分匹配的專利設備配置的高電壓，高功率，高線性度和寬帶應用。該器件的總器件外圍為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56

North Hills的0319NA寬帶變壓器，NA系列的寬帶變壓器覆蓋了0.1至300 MHz的頻率范圍內的各種電路配置。塑料包裝設計用于插入印刷電路板。*North Hills應用注釋151-“寬帶變壓器”提供了關于巴倫變壓器主題的進一步信息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器，這條變壓器在0.1到100MHz的頻率范圍內提供了高度平衡的橫向信號源。在這種情況下，平衡指的是任一腿相對于地面的電壓相等。BF系列變壓器具有內置共模信號注入電路，為測量平衡或UTP系統對噪聲和干擾的易感性提供了理想的手段。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器，由不平衡繞組和中心抽頭平衡繞組組成的平衡環，雙向傳遞功率，兩個方向匹配。North Hills巴倫斯精密工程低插入和回波損耗。優越的平衡是通過內在對稱的結構來實現的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36

NH16447超高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提供了測量電路特性至1.2GHz的簡單和直接的方法。超高頻巴倫匹配任一方向的阻抗，并且為低插入和回波損耗進行了精密設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41

North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器，一般用途1千赫茲- 125兆赫，由不平衡繞組和中心抽頭平衡繞組組成的平衡環，雙向傳遞功率，兩個方向匹配。北山巴倫斯精密工程低插入和回波損耗。優越的平衡是通過內在對稱的結構來實現的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是高壓、高功率、高線性和寬帶應用的部分匹配專利設備配置。該器件的總器件外圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R，該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲或直線的引線安裝方式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26

X波段低噪聲放大器芯片是噪聲系數很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部分匹配的專利設備配置，用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6 GHz。它也是更大功率器件的理想驅動器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直立的引線和凸緣的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R，這一部分的總閘門寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R ，這一部分的總柵極寬度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R，這一部分的總柵極寬度為10mm。AM100MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。