CMD227C3是一款寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,采用陶瓷QFN封裝。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在23 GHz的輸出頻率下提供11 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為38 dBc和49 dBc。
CMD256芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在34 GHz的輸出頻率下提供15 dB的轉換損耗。Fo隔離度為38 dBc。CMD256采用50歐姆匹配設計,無需RF端口匹配。
CMD226N3是一款寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,采用陶瓷QFN封裝。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在18 GHz的輸出頻率下提供10.5 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為44 dBc和46 dBc。
CMD225C3裸片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在12 GHz的輸出頻率下提供13 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別> 47 dBc和> 54 dBc。
CMD213芯片是寬帶MMIC GaAs x2有源倍頻器MMIC。當由+ 17dBm信號驅動時,乘法器提供30至40 GHz的+17 dBm輸出功率。在35 GHz時,Fo隔離度大于46 dBc。
CMD214芯片是寬帶MMIC GaAs x2有源倍頻器。當由+ 13dBm信號驅動時,乘法器提供從24到36 GHz的+17 dBm輸出功率。在26 GHz時,Fo和3Fo隔離度分別> 32 dBc和> 25 dBc。
CMD227芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在23 GHz的輸出頻率下提供11 dB的轉換損耗。
CMD226芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在18 GHz的輸出頻率下提供10.5 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為44 dBc和46 dBc。
CMD225芯片是寬帶MMIC GaAs MMIC x2無源倍頻器/倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,該MMIC乘法器在12 GHz的輸出頻率下提供12 dB的轉換損耗。
CMD257C4是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3 I / Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD257C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。
CMD258C4是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3 I / Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD258C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。
CMD255C3是一款通用雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于16至26 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD255C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD254C3是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3雙平衡混頻器,可用于11至20 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD254C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD253C3是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3雙平衡混頻器,可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD253C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD251C3是一款通用雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于4至8.5 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的巴倫結構,CMD251C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD252C4是一款緊湊型I / Q混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD252C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。
CMD180是一款通用雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于20至32 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD180對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD261是一款通用雙平衡混頻器芯片,具有超寬IF帶寬,可用于30至46 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD261對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD181是一款通用雙平衡混頻器芯片,可用于26至45 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD181對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD177是一款通用雙平衡混頻器芯片,可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD177對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD180C3是一款采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝的通用雙平衡混頻器,可用于20至32 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的巴倫結構,CMD180C3混頻器MMIX對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD179C3是一款采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝的通用雙平衡混頻器MMIC,可用于16至26 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD179C3 MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD179是一款通用雙平衡混頻器MMIC芯片,可用于16至26 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD179混頻器MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD178C3是一款采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝的通用雙平衡混頻器MMIC,可用于11至20 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD178C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD183C4是一款緊湊型RF /微波I / Q混頻器MMIC,采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD183C4 I / Q混頻器采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。
CMD177C3是一款通用型雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD177C3混頻器MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD182C4是一款緊湊型GaAs射頻/微波I / Q混頻器MMIC,采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD182C4 I / Q混頻器MMIC采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。
CMD279是一款正控制,寬帶GaAs MMIC 5位數字衰減器芯片,工作頻率范圍為2至30 GHz。衰減器的每個位由0 V或+ 5V的單個電壓控制。衰減器位值為0.5(LSB),1,2,4和8 dB,總衰減為15.5 dB。
CMD281是負控制,寬帶GaAs MMIC 2位數字衰減器芯片,工作頻率范圍為DC至40 GHz。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為2 dB和4 dB,總衰減為6 dB。CMD281在18 GHz時具有1.2 dB的低插入損耗,衰減精度通常為0.1 dB步進誤差。
CMD280是負控制,寬帶GaAs MMIC 5位數字衰減器芯片,工作頻率范圍為DC至30 GHz。衰減器的每個位由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位值為0.5(LSB),1,2,4和8 dB,總衰減為15.5 dB。CMD280在10 GHz時具有3 dB的低插入損耗,衰減精度通常為0.1 dB步進誤差。