custom mmic通過我們的“ 應用筆記103:放大器偏置技術 ” ,為正偏置放大器器件提供單電源和雙電源MMIC放大器偏置技術提供了有用的指導。
我們為市場領先的寬范圍分布式放大器產品組合添加了一個新的分布式放大器。CMD240P4分布式放大器的超寬帶DC-22 GHz性能伴隨著2.2 dB的低噪聲系數和IP3 + 28 dBm。該器件的性能水平使其適用于極其廣泛的應用,包括電子戰,SIGINT,軍用雷達和儀器儀表。
我們為快速擴展的標準產品添加了一個新類別。我們的新型GaAs MMIC低相位噪聲放大器 (LPNA)系列提供以前無法獲得的相位噪聲性能。相位噪聲是定義大多數雷達和通信系統性能水平的關鍵要求。這五個產品系列在10 kHz偏移下實現了低至-165dBc / Hz的相位噪聲性能。它們用于本地振蕩器(LO)和用于軍事和儀器應用的高靈敏度接收器電路。
我們為其性能領先的標準產品系列增加了兩個獨特的分布式放大器。我們繼續專注于為航空航天,商業和軍事應用提供增值MMIC解決方案。
在雷神綜合防御系統(IDS)2017供應商卓越會議期間,Custom MMIC獲得了四星級供應商卓越獎。
相控陣雷達系統是國家電子防御戰略中的重要手段。從掃描遠程發射導彈的大型艦載系統到安裝在戰斗機和無人機(UAV)上的更緊湊的陣列,電子相控陣雷達有多種尺寸和形式,提供可靠的信號檢測和識別。與早期的雷達系統相比,這些現代系統具有許多優點,這些雷達系統依靠天線的物理運動來引導雷達波束以尋找目標。
CUSTOM MMIC繼續迅速增加其廣泛的MMIC開關系列; 兩個新的GaAs MMIC開關,即非反射型CMD235C4和CMD236C4。 CMD235C4是一款DC-18 GHz寬帶MMIC SP5T交換機,提供寬帶性能,插入損耗為2.5dB,10 GHz時端口到端口的隔離度高達40dB。
KRYTAR推出新型緊湊型定向耦合器,在4.0至12.4 GHz頻率范圍內具有6 dB耦合,包括標稱耦合(相對于輸出)為6 dB,±0.5 dB,頻率靈敏度為±0.30 dB。定向耦合器的插入損耗(包括耦合功率)小于1.8 dB,指向性大于15 dB,最大VSWR(任何端口)為1.35,輸入功率額定值為20 W平均值和3 kW峰值。
KRYTAR推出全新緊湊型180度,3 dB混合耦合器,適用于10至40 GHz的超寬帶頻率,型號4100400,具有10至40 GHz的多功能性,具有出色的相位和幅度匹配。典型規格包括幅度不平衡:±1.0 dB; 相位不平衡為±12度; 隔離度> 12 dB; 最大VSWR:1.8; 和插入損耗<1.7 dB。
KRYTAR推出用于2.0至8.6 GHz頻率范圍內的熱真空應用的新型緊湊型定向耦合器,在2.0至8.6 GHz的頻率范圍內提供卓越的性能,為該公司不斷增長的太空級定向耦合器系列增添了新的內容 。
KRYTAR推出一款新型緊湊型定向耦合器,在0.5至20.0 GHz的超寬帶頻率范圍內具有6 dB耦合,耦合器為許多應用提供簡單的解決方案,包括電子戰(EW),商用無線,衛星通信,雷達,信號監測和測量,天線波束成形和EMC測試環境。
KRYTAR公司宣布其雙向耦合器系列的不斷擴展,增加了一個新的型號,提供20 dB的超級耦合 - 寬帶頻率范圍為0.5至20.0 GHz,采用緊湊輕巧的單一封裝。其性能等級包括標稱耦合(相對于輸出)為20 dB,±1.2 dB,頻率靈敏度為±0.85 dB。
KRYTAR公司宣布推出一款新型定向耦合器,專為在1.0至40.0 GHz的超寬帶頻率范圍內工作的空間應用而設計。KRYTAR的耦合器專為需要外部調平,精確監控,信號混合或掃描傳輸和反射測量的系統應用而設計。
North Hills 領先的測量和連接解決方案提供商North Hills Signal Processing Corporation 宣布推出新型高速電纜隔離變壓器TF1500A15。North Hills TF1500A15變壓器根據ANSI X3T11 FC-PH-3,SMPTE 292M,SAE AS5643 / 1和IEEE STD 1394b-2008的規范發送和接收信號。
North Hills 領先的測量和連接解決方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即將推出針對高速數據互連市場的新型高速接口電纜產品。
North Hills ?領先的測量和連接解決方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即將推出新型SMPTE 292M視頻平衡 - 不平衡轉換器。這些變壓器使用Sabritec和BNC連接器將75歐姆同軸電纜連接到100歐姆平衡電路。
在MACOM,我們提供各種脈沖和線性RF功率晶體管產品 - 分立器件,模塊和托盤,設計工作頻率范圍為DC至6 GHz。我們的高功率晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
在MACOM,我們提供各種脈沖和線性RF功率晶體管產品 - 分立器件,模塊和托盤,設計工作頻率范圍為DC至6 GHz。我們的高功率晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用MACOM 60多年的傳統,提供使用雙極,MOSFET和現在GaN技術的標準和定制解決方案,以滿足客戶最苛刻的需求。
MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波(CW)GaN,作為分立器件和模塊,設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,長脈沖雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波(CW)GaN,作為分立器件和模塊,設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備,通信,網絡,長脈沖雷達以及工業,科學和醫療應用的理想選擇。
NPT2024 GaN HEMT是一種寬帶晶體管,針對直流 - 2.7GHz工作進行了優化,采用推挽式配置。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為行業標準塑料封裝,功率為200 W(53 dBm)。NPT2024非常適用于國防通信,陸地移動無線電,航空電子設備,無線基礎設施,ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。
NPT2020 GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率超過50W(47 dBm),采用工業標準金屬陶瓷封裝,帶有螺栓法蘭。
NPT2018 GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續波,脈沖和線性工作,輸出功率為12.5W(41 dBm),采用工業標準表面貼裝塑料封裝。
NPT1015B GaN HEMT是一款針對DC-3.5 GHz工作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為45W(46.5 dBm),采用工業標準金屬陶瓷封裝,帶有螺栓法蘭。
NPA1007是一款寬帶GaN功率放大器,針對20-2500 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為10 W(40 dBm),采用無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN塑料封裝。
NPA1006是一款寬帶GaN功率放大器,針對20 - 1000 MHz工作進行了優化。該放大器設計用于飽和和線性工作,輸出電平為12.5 W(41 dBm),采用無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN塑料封裝。
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一種寬帶晶體管芯片,針對DC-3.5 GHz工作進行了優化。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為45 W(46.5 dBm)。MATR-GSHC03-160150非常適用于國防通信,陸地移動無線電,航空電子設備,無線基礎設施,ISM應用和VHF / UHF / L / S波段雷達。
MAGx-101214-500L00是一種金屬化的匹配氮化硅(GaN)硅(Si)RF功率晶體管,針對脈沖L波段雷達應用進行了優化。MAGX-101214-500L0x采用耐熱增強法蘭陶瓷封裝,具有出色的散熱性能。與較舊的半導體技術相比,高擊穿電壓允許可靠和穩定的操作。
MAGe-102425-300S00是一款RF Energy功率晶體管,針對2400-2500 MHz頻率工作進行了優化。該器件支持CW和脈沖操作,在工業標準氣腔封裝中輸出功率為300 W(54.8 dBm)。MAGe-102425-300S00非常適合CW應用,是一種高效,精確的熱源和電源。