微帶線隔離器是Nova 公司的隔離器產品,Nova Microwave為商業應用,軍事應用,蜂窩和無線市場設計和制造了全面的隔離器系列。這些設備對于最小化入射信號和反射信號之間的干擾非常重要。這些設備為發射器提供恒定的阻抗,從而通過將反射信號吸收到內部終端中來最大化功率傳輸。
?微帶線環形器是Nova 公司的循環器,Nova Microwave是佛羅里達州的一家公司,,專門從事各種鐵氧體循環器和隔離器的設計,工程和制造。 Nova Microwave是技術差異化電子和射頻鐵氧體循環器和隔離器的領導者,可連接,保護和控制全球微波電子市場的關鍵系統,包括商用和軍用無線通信。
2.92mm轉1.85mm毫米波適配器40GHz是SOUTHWEST產品,推薦用于軍用、航天、儀表測試等應用
1.0mm毫米波連接器按照Southwest Microwave的嚴格性能和質量標準制造,堅固耐用,具有360°凸起的接地環,額定工作溫度為-55°C至+ 165°C。1.0mm連接器可在110 GHz范圍內提供無模式工作,提供匹配良好的阻抗,出色的可重復性,以及業界最低的VSWR(1.2:1),插入損耗(0.6 dB)和RF泄漏(≤-100 dB)。
2.92mm毫米波連接器是SOUTHWEST產品,有超強的可靠性、相位和插入損耗可重復能力。它能在DC-46GHz頻帶范圍內使用,具有良好的電性能,且能與現在已廣泛使用的SMA連接器兼容,很快地被廣大制造商認可,且成為目前國際上應用最為廣泛的毫米波接頭之一
毫米波連接器組件和工具?是工作在毫米波段的連接器的總稱,包括內導體、外導體、介質支架、左連接器和右連接器。介質支架兩側對稱設置環形槽。介質支架由上介質支架和下介質支架組成,環槽相應地由上環槽和下環槽組成。
End Launch 毫米波連接器是SOUTHWEST的高性能端發射連接器,旨在為高頻信號位于頂層的單層和多層印刷電路板提供低VSWR,110 GHz的無模式寬帶響應。提供SMA(27 GHz),2.92 mm(K)(40 GHz),2.40 mm(50 GHz),1.85 mm(V),(67 GHz)和1.0 mm(W)(110 GHz)。
AM005WN-00-R?是AMCOM的一種分立GaN/SiC HEMT總柵極寬度為0.5mm。這是赤裸裸的死亡它可以工作到18千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為33.4 dBm。它可以用在低噪聲、高動態范圍接收器和大功率發射機。此部分符合RoHS。
AM012WN-00-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT閘門總寬度為1.25毫米。這是赤裸裸的死亡它的工作頻率可達15ghz。它可以提供典型的飽和功率為37.7 dBm。這部分是RoHS順從。
?AM025WN-00-R是AMCOM的一種分立GaN/SiC HEMT總柵極寬度為2.5毫米(兩個1.25毫米FET平行地)。這是一個裸模,可以操作到15千兆赫。它可以提供40.5的典型飽和功率數據庫管理系統。此部分符合RoHS。
?AM005WN-BI-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT總柵極寬度為0.5mm。在一個陶瓷里工作頻率高達12ghz的組件。BI系列使用特殊設計的陶瓷包裝,帶有彎曲(BI-G)或直線(BI)導線采用落地式安裝方式。法蘭在包裹的底部同時充當直流接地、射頻接地和熱通道。這部分是符合RoHS。
AM012WN-BI-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT閘門總寬度為1.25毫米。在一個陶瓷桶里可運行高達10千兆赫的軟件包。BI系列使用特殊設計的陶瓷包裝,帶有彎曲(BI-G)或直線(BI)導線采用落地式安裝方式。法蘭在包裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱通道。這部分是符合RoHS。
?AM025WN-BI-R是AMCOM的一種分立的GaN/SiC HEMT總柵極寬度為2.5毫米。在一個陶瓷里可在8千兆赫以下工作的組件。BI系列使用特殊設計的陶瓷彎曲包裝(BI-G)或直線(BI)導線采用落地式安裝方式。法蘭在包裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱通道。這部分是符合RoHS。
?AM100WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC裙邊此部分的總門寬為10毫米。AM100WN-CU-R專為大功率設計微波應用,工作頻率高達6GHz。系列是一個特別設計的陶瓷包裝直引線和法蘭采用嵌入式安裝方式。包裝底部的法蘭用于同時作為直流接地、射頻接地和熱接地路徑。此部分符合RoHS。
?AM13714530WM-SM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分在13.75到14.5ghz頻段工作。它有超過30分貝的增益和30分貝輸出功率。放大器被封裝在帶有射頻和直流連接。設備的安裝法蘭有助于實現良好的散熱效果通向接地散熱器的路徑。
AM324036WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有29分貝的增益和3.2至4.0GHz頻段36dBm輸出功率。該MMIC是一個陶瓷封裝,具有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。
?AM050WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC卷邊。此部分的總門寬為5mm。AM050WN-CU-R專為大功率設計微波應用,工作頻率高達6千兆赫系列是一個特別設計的陶瓷包裝直引線和法蘭采用嵌入式安裝方式。包裝底部的法蘭用于同時作為直流接地、射頻接地和熱接地路徑。此部分符合RoHS。
?AM284233MM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有34分貝的增益和在2.8到4.2GHz頻帶上輸出33dBm的功率。這個MMIC是一個陶瓷封裝,有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。
AM304031WM-EM-R?是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分貝的增益和31在2.6到4.8GHz頻帶上的dBm飽和輸出功率。這個MMIC是一個陶瓷封裝,射頻和直流都有在較低層次的封裝,以促進低成本的SMT組裝到PC板。
AM264240WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。這是兩個階段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。AM264240WM-EM-R在輸入和輸出端都與50歐姆完全匹配,覆蓋2.6歐姆至4.2GHz。
?AM254038WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。這是兩個階段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。它與50歐姆的輸入和輸出完全匹配,覆蓋2.4到4.4赫茲。該MMIC具有18dB的增益和38dBm的12V輸出功率射頻和直流引線位于封裝的較低層,以便于將低成本的SMT組裝到PC板上。
?AM244236WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分貝的增益和在2.4到4.2GHz頻帶上輸出36dBm的功率。這個MMIC是一個陶瓷封裝,有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。
?AM204437WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。該放大器具有30分貝的增益和在2.2到4.2GHz頻帶上輸出37dBm的功率。該MMIC采用陶瓷封裝,射頻和直流引線均位于較低層次的封裝便于低成本的SMT組裝到PC板上。
?AM184635WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有30dB增益和35dBmP1dB,在2.2到4.2GHz頻段。這個MMIC是一個陶瓷封裝,射頻和直流引線都在較低的水平便于低成本的SMT組裝到PC板上。
AM254540WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。這么高效率MMIC是一個2級GaAs-pHEMT功率放大器,偏置電壓為10~13V。輸入和級間匹配網絡覆蓋2.5到4.5GHz。這個MMIC需要輸出外部匹配到您感興趣的波段之間2.5GHz至4.5GHz提供最大帶寬靈活性。
AM183031WM-EM-R?是AMCOM的砷化鎵MMIC功率放大器系列的一部分。它有30.5分貝的增益和在1.6到3.3GHz頻帶上的31.5dBm輸出功率。該MMIC是一個陶瓷封裝,具有射頻和直流引線在較低層次的封裝,以方便低成本的SMT組裝到PC板。當直接安裝到印刷電路板,請參見應用說明AN700。由于高直流功耗,我們建議將這些設備直接安裝在金屬散熱器上。AM183031WM-EM是一個直引線的插入式封裝。AM183031WM-FM-R是安裝在鍍金銅法蘭托架上的AM183031WM-BM-R。有法蘭上有兩個螺孔,便于擰到金屬散熱器上。這個MMIC是符合RoHS的。
HMC413是ADI?的一種頻率范圍為1.6~2.2ghz的高效率異質結雙極晶體管MMIC功率放大器,AM183030WM-EM-R是amcom的GaAs-MMIC功率放大器。該放大器在1.6~3.3ghz頻段內,增益為30.5db,輸出功率為30.5dbm。為便于低成本SMT組裝到PC板上,本發明屬于一種低層封裝中射頻和直流引線的陶瓷封裝。
?HMC609LC4是ADI的單片低噪聲放大器,AM153540WM-EM-R是AMCOM的砷化鎵單片功率放大器。放大器與50歐姆輸入和輸出完美匹配,覆蓋1.5至3.5赫茲。該單片集成電路在14V下具有21db的增益和38.5dbm的輸出功率,與封裝底部的水平面共面,為低成本的貼片組裝到PC板提供了基礎。
?? 無源,是指:無電磁波發射源,系統只能被動地接收目標的電磁波。有源:是指:有電磁波發射源,系統自己能主動、獨立發射電磁波,不需要中央發射機發射電磁波。即使部分收發組件壞了,其他組件也能有效發射電磁波。
HMC413是ADI的高效率GaAs InGaP異質結雙極性晶體管MMIC功率放大器,AM143438WM-EM-R功率放大器是AMCOM的砷化鎵HiFET MMIC,該MMIC是2級GaAs-pHEMT功率放大器,偏置電壓為10-14V,級間匹配網絡覆蓋1.4到3.4GHz,以供應最大的帶寬靈活性。例如,一個可用的評估板有逾越20分貝增益,38dBm飽和輸出功率逾越1.5至1.8GHz頻帶在12V。其他2.0到3.0ghz的評估板在12V時取得19dB增益和38dBm輸出功率。直流引線與作為接地的封裝底層共面,以便當低成本的表面貼裝組裝到PC板。